Внедрение атомов магнитных металлов, таких как кобальт и железо, в графен, выращенный на карбиде кремния, привело к созданию ферромагнитного графена, сообщает Красноярский научный центр СО РАН. Этот новый материал сохраняет свои ферромагнитные свойства при комнатной температуре, что открывает возможности для его использования в спинтронике и наноэлектронике.
Графен обладает уникальными свойствами: высокой прочностью и при этом легкостью, хорошей электропроводностью. На этом фоне особо привлекательным выглядит создание и использование ферримагнитного графена. Это особый вид графена, который способен сохранять намагниченность даже в отсутствие внешнего магнитного поля. Благодаря своей намагниченности он позволит хранить больше информации на меньшей площади и создавать более компактные и быстрые электронные устройства.
Ученые из Красноярского научного центра СО РАН с коллегами из Санкт-Петербурга, Новосибирска и Москвы получили стабильный ферромагнитный графен, добавив к нему атомы магнитных металлов. Новый материал проявляет ферромагнитные свойства при комнатной температуре. Авторы исследования подчеркивают, что это важный шаг в развитии спинтроники — области, занимающейся изучением и применением спиновых свойств электронов для хранения, передачи и обработки информации.
Специалисты вырастили графен на подложке из карбида кремния методом термического разложения. Затем они внедрили в графен атомы магнитных металлов — железа и кобальта и изучили характеристики новой системы. Внедрение железа и кобальта в графен позволило создать материал, который обладает ферромагнитными свойствами, то есть поддерживает намагниченность даже в отсутствие внешнего магнитного поля. Особенность нового композита оказалась еще и в том, что он сохраняет это свойство при комнатной температуре. Такой материал может быть использован без необходимости в дополнительном охлаждении.
«Мы показали, что графен на подложках из карбида кремния с добавлением магнитных металлов может проявлять ферромагнитные свойства при комнатной температуре. Это открывает новые возможности для хранения, передачи и обработки информации, создания новых типов запоминающих устройств, процессоров и коммуникационных систем. Результаты исследования также важны для понимания фундаментальных физических процессов, в частности магнитных явлений, происходящих в графене и других двумерных материалах. Эти знания помогут в создании более сложных систем с уникальными физическими свойствами», — рассказал заведующий лабораторией радиоспектроскопии и спиновой электроники Антон Тарасов.
В исследовании также принимали участие специалисты из Санкт-Петербургского государственного университета, Сибирского федерального университета, Национального исследовательского центра «Курчатовский институт», Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН и Института катализа имени Г. К. Борескова СО РАН. Результаты исследования опубликованы в журнале Physica Status Solidi — Rapid Research Letters.
