Уважаемые коллеги!
Приглашаем вас принять участие в проекте "Публичные лекции "Полит.ру".
В четверг, 23 апреля выступит вице-президент РАН, председатель Сибирского отделения РАН, директор Института физики полупроводников СО РАН, доктор физико-математически наук, академик Александр Леонидович Асеев.
Тема лекции: Академгородки как центры науки, образования и инноваций в современной России
Лекция состоится 23 апреля 2009 года (четверг) в 19-00 в клубе Bilingua по адресу: Кривоколенный переулок, д.10, стр. 5 (м. “Чистые пруды”, “Тургеневская” или “Лубянка”).
Телефон для справок: 624-8009
Александр Леонидович Асеев Родился 24 сентября 1946 года в Улан-Удэ. В 1968 году окончилфизический факультет Новосибирского государственного университета. По окончании вуза работал в Институте физики полупроводников (ИФП) им. А.В. Ржанова.
Член-корреспондент по Отделению информатики, вычислительной техникии автоматизации (элементная база микроэлектроники) с 26 мая 2000 г.
С 2001 года Член президиума СО РАН, научных советов РАН по физикеполупроводников, физико-химическим основам полупроводниковогоматериаловедения, электронной микроскопии.
С2003 года - директор Института физики полупроводников СО РАН.Одновременно - профессор кафедры физики полупроводников Томскогогосударственного университета.
В 2006 году стал действительным членом РАН. В 2008 году избран председателем Сибирского отделения РАН.
Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формированияполупроводниковых систем пониженной размерности. Получил принципиальноновые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов вреакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомамипримесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхностикристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системырегулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и ростепримесно-индуцированных сверхструктурных доменов.
Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста накремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологиимолекуляр-но-лучевой эпитаксии и создания ряда приборовполупроводниковой электроники. Ведет работы по получениюнанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новыхтипов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечнойэнергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные наполучение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.
