Двухмерные материалы, такие как графен или гексагональный аллотроп нитрида бора ввиду своей фантастической электропроводности (максимальная подвижность электронов среди всех известных материалов) могут быть использованы для производства электронных устройств нового класса.
Однако до последнего времени возникали сложности с подсоединением графена к металлическому проводнику — мешало загрязнение материала, сводящее на нет преимущества его применения. Группе американских исследователей впервые удалось получить чистое соединение с графеном, о чем была опубликована статья в ноябрьском номере Science.
Команда исследователей под руководством физика-экспериментатора Кори Дина (Cory Dean) из Сити-колледжа Нью-Йорка определила проблему в загрязнении контакта материалов. Ученые решили производить подсоединение к графеновой пленке не сверху, как это обычно делалось, а сбоку. Для этого сначала была проведена инкапсуляция графена в нитрид бора, после чего протравлялся край графеновой пленки. Затем на кромку напаивается металл для создания электрического контакта.
При этом контактное сопротивление достигало всего 100 Ом на микрон ширины контакта, что значительно меньше значения сопротивления при подсоединении к графену сверху.
